SJ 20750-1999 军用CMOS电路用抗辐射硅单晶片规范
|
ID： |
7A0ECF5A5260497594CAB04EF1B75451 |
|
文件大小(MB)： |
0.45 |
|
页数： |
8 |
|
文件格式： |
|
|
日期： |
2024-7-27 |
|
购买： |
文本摘录（文本识别可能有误，但文件阅览显示及打印正常，pdf文件可进行文字搜索定位）：
中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5971 SJ 20750—1999,军用CMOS电路用,抗辐射硅单晶片规范,Specification for radiation hardened monocrystal,silicon wafers for millitary CMOS integrated circuits,199971-10 发布1999-12-01 实施,中华人民共和国信息产业部 批准,中华人民共和国电子行业军用标准,军用CMOS电路用抗辐射硅单晶片规范SJ 20750-1999,Specification for radiation hardened monocrystal,silicon wafers for millitary CMOS integrated circuit,1范围,1.1 主题内容,本规范规定了军用CMOS电路用抗辐射硅单晶抛光片的要求,质量保证规定和交货,准备等,1.2 适用范围,本规范适用于军用CMOS电路用直径为50.8 mm、76.2 mm和100 mm的抗辐射硅单,晶抛光片(以下简称硅片),1.3 牌号,硅片用的单晶为直拉法拉制的掺磷N型硅单晶。硅片牌号表示为:,CMOS/RH—CZ~~Si~PW~n(P)一く 10〇〉,牌号中CMOS表示CMOS电路,RH-CZ表示抗辐射直拉硅单晶,其它符号的含义,符合GB/T 14844的规定,2引用文件,GB/T 1550—1997,GB/T 1552—1995,GB/T 1554—1995,GB/T 1555—1997,非本征半导体材料导电类型测试方法,硅、错单晶电阻率测定直排四探针法,硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法,半导体单晶晶向测定方法,GB 1557-89硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法,GB 1558-83测定硅晶体中代位碳含量的红外吸收方法,GB/T 4058—1995,GB/T 6618—1995,GB/T 6619—1995,GB/T 6621—1995,GB/T 6624—1995,硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法,硅片厚度和总厚度变化的测试方法,硅片弯曲度测试方法,硅抛光片表面平整度测试方法,硅抛光片表面质量目测检验方法,GB 11073—89硅片径向电阻率变化测量方法,GB/T 13387-92电子材料晶片参考面长度测量方法,GB/T 13388-92硅片参考面结晶学取向X射线测量方法,GB/T 14140-93硅片直径测量方法,中华人民共和国信息产业部1999-11-10发布1999-12-01 实施,SJ 20750-1999,GB/T 14844-93半导体材料牌号表示方法,GJB 179A-96计数抽样检验程序及表,3要求,3.1 合格鉴定,强本规范提交的产品应是经鉴定合格或定型批准的产品,3.2 物理性能参数,硅片的导电类型、晶向及晶向偏离度、电阻率及电阻率径向变化应符合表1的规定,表1硅片物理性能参数、杂质、缺陷,物理性能参数杂质缺陷,导电类型晶向及晶电阻率电阻率径氧含量碳含量位错微缺陷,及掺杂剂向偏离度Qcm 向变化,%,at./cm3 at./cm3 密度密度,N型,掺磷,<100>,0°±0.5°,2.6 W12 ^IxlO18 W5xl0i6 无无,3.3氧、碳含量,硅片的氧、碳含量应符合表1的规定,3.4 晶体完整性,硅片的位错密度、微缺陷密度应符合表1的规定,3. 5抗辐射性能,将硅片放入中子反应堆及钻60源中进行中子和ア辐照,辐照参数为:,a.中子注量:(l±0.1)xl()Mn/cm3；,b.ア总剂量:103GY(Si)；,c.能量:IMev等效,测量辐照前后硅片的电阻率,硅片的电阻率变化率应不大于20%,辐照前后硅片电阻率变化率按下式计算:,硅片电阻率变化率=,メニ，小X100%,(4 + 6)/2,式中:A —— 辐照前硅片的电阻率,Qcm；,B ——辐照后硅片的电阻率,Qcm,3. 6几何尺寸,硅片的几何尺寸应符合表2的规定,表2硅片几何尺寸,直径及其厚度及其主参考面主参考面长度副参考面长度总厚度弯曲度平整度,丒允许偏差允许偏差取向及偏差及允许偏差及允许偏差变化(TIR),’mm mm mm mm gm gm pm,50.8±0.4 280120 <110>:0°il° 1612 812 W8 W25 W5,76.2±0.4 381120 <110>:0°il° 22.512.5 11.511.5 W10 W30 W6,10010.5 525120 <110>:0°il° 32,5±2.5 1812 W10 ま40 於6,-2 -,SJ 20750—1999,注:当用户对厚度、其它尺寸及参数有特殊要求时,由供需双方商定,3.7表面质量,3.7.1 表面缺陷,硅片表面缺陷要求应符合表3的规定,表3硅片表面质量,表面缺陷要求,划道无,沾污无,裂纹无,硅片正面,崩边无,蚀坑无,桔皮无,小丘无,凹坑无,崩边无,硅片脊面,裂纹无,沾污无,刀痕无,3. 7.2硅片的氧化层错,硅片的氧化层错应不大于500个/cm2。也可由供需双方协商确定,4质量保证规定,4.1 检验责任,除合同或订单中另有规定外,承制方应负责完成本规范规定的所有检验,必要时,订购方或上级鉴定机构有权对规范所述的任一检验项目进行检查,4.1.1 合格责任,所有产品必须符合本规范第3章和第5章的所有要求。本规范中规定的检验应成为,承制方整个检验体系或质量大纲的ー个组成部分。若合同中包括本规范未规定的检验要,求,承制方还应保证所提交验收的产品符合合同要求。质量一致性抽样不允许提……
……